硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

光刻工藝的設備核心是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標？（）

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）