縮寫中文含義 APCVD HDPCVD LPCVD PECVD PVD BJT CD CMOS CMP MIC ILD MBE SOI DUV MOCVD BSG PSG BPSG RTP RTA IC LOCOS STI LI VLSI CA FIB ARC ASIC RIE FIB EUV LDD
1.電阻率的減小。 2.減小了功耗。 3.更高的集成密度。 4.良好的抗電遷徙性能。 5.更少的工藝步驟。
最新試題
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
互連工藝中AL的制備可選用（）。
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
新的平坦化方法有哪幾個？（）
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
