問(wèn)答題描述溝道效應(yīng)。列舉并簡(jiǎn)要解釋控制溝道效應(yīng)的三種機(jī)制。
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1.問(wèn)答題列舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
2.問(wèn)答題離子注入的主要缺點(diǎn)是什么？如何克服？
3.問(wèn)答題列舉離子注人優(yōu)于擴(kuò)散的7點(diǎn)。
4.問(wèn)答題離子注入通常在什么工藝之后？
5.問(wèn)答題列舉用于硅片制造的5種常用摻雜。
最新試題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
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目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
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金屬化中可選用的金屬材料有（）。
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下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
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多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
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進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
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光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
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化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題