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填空題淺結(jié)制備的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型淺結(jié)比（）型淺結(jié)更難制備。P型淺結(jié)常用（）、（）、（）來獲得。

參考答案： 降低注入離子能量；分子離子注入；快速熱退火；P；n；BF₂⁺離子替代B⁺注入；降低B⁺注入能量；硅注入表面預(yù)非晶化

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1.填空題為了降低注入離子對(duì)襯底由于熱沉積產(chǎn)生的溫升，在高劑量、大束流離子注入時(shí)，可以采用（）掃描方式，在低劑量、小束流時(shí)一般用（）方式注入。

參考答案：混合；全電掃描

2.填空題離子注入機(jī)的對(duì)Si襯底作P型摻雜的源氣常用（），N型摻雜的源氣常用（）和（）。對(duì)GaAs做N型摻雜的源氣常用（）

參考答案：BF₃；PH₅；AsH₅；SiH₄

3.填空題（）稱為溝道效應(yīng)，可以用（）、（）和（）來避免。其中，（）是最常用的方法。

參考答案：沿晶體溝道注入離子的射程遠(yuǎn)大于隨機(jī)方向注入離子射程的現(xiàn)象；硅片相對(duì)注入束偏轉(zhuǎn)5-7°的注入角；表面生長(zhǎng)氧化層；硅注入表面...

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4.填空題 注入離子的射程主要由（）決定。確定注入離子分布的主要參數(shù)是（）及其（）。注入離子分布的一級(jí)近似為（）?？蓪懗桑?img src="https://newimg.ppkao.com/2019-07/wangjing/2019070410290232389.jpg" />

參考答案：離子能量、離子種類和襯底材料；平均投影射程；標(biāo)準(zhǔn)偏差；高斯分布

5.填空題CMOS集成電路的柵氧化層要求：（）。通常用（）氧化降低其界面態(tài)密度，用（）氧化降低其針孔密度和提高介電擊穿強(qiáng)度。

參考答案：針孔密度低、界面態(tài)密度低、可動(dòng)電荷密度低和固定電荷密度低、介電擊穿高；含Cl；含N