類型:nMOS(n溝道)和pMOS(p溝道) 區(qū)分方法:可有各自器件的多數(shù)載流來區(qū)別。
顯著特征:高速,耐久性和功率控制能力。 最大缺陷:功耗高。
無源器件:在不需要外加電源的條件下,就可以顯示其特性的電子元件。 例子:電阻,電容。
最新試題
常壓的硅外延方法有()。
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
影響封裝芯片特性的溫度有()。
CMP的設備構成包括()。
互連工藝中AL的制備可選用()。
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
芯片粘接的工藝過程包括()。
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
進行溝槽填充常用的金屬材料是()。
新的平坦化方法有哪幾個?()