摻雜后退火時間一般在（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。