進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

CMP的設備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝的特點包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

常壓的硅外延方法有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

鳥嘴效應造成的不良影響有（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。