填空題當(dāng)采用耗盡近似時(shí)，由N 型耗盡區(qū)中的泊松方程可以看出，摻雜濃度越高，則內(nèi)建電場(chǎng)的斜率越（）。
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1.填空題在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中，P區(qū)一側(cè)帶（）電荷，N區(qū)一側(cè)帶（）電荷。內(nèi)建電場(chǎng)的方向是從（）區(qū)指向（）區(qū)。
2.名詞解釋MOSFET本征電容
3.名詞解釋耗盡層寬度W
5.名詞解釋HDL
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硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
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厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
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刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
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多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
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三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
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化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
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當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
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新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
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光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題