P型材料和N型材料接觸后形成PN結(jié)，由于存在濃度差，就會產(chǎn)生空間電荷區(qū)，而空間電荷區(qū)的寬度就稱為耗盡層寬度W。
最新試題
光刻工藝對準誤差包括（）。
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
常壓的硅外延方法有（）。
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
新的平坦化方法有哪幾個？（）
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
摻雜后退火時間一般在（）。
芯片粘接的工藝過程包括（）。