所謂“幻影回波”，是由于探傷頻率過高或材料晶粒粗大引起的。

與IIW試塊相比，CSKⅠA試塊的優(yōu)點(diǎn)之一是可以測(cè)定斜探頭的分辨力。

單探頭法是反射法，雙探頭法都是穿透法。

標(biāo)準(zhǔn)試塊的材質(zhì)應(yīng)盡可能與被檢工件相同或相近。

利用IIW試塊上的φ50孔兩側(cè)面的距離，只能測(cè)定直探頭盲區(qū)的大致范圍。

測(cè)定儀器垂直線性和動(dòng)態(tài)范圍時(shí)，應(yīng)將儀器的“抑制”和“深度補(bǔ)償”旋鈕置于關(guān)的位置。

工件比較粗糙時(shí)，為防止探頭磨損和保護(hù)晶片，宜選用硬保護(hù)膜。

斜探頭前部磨損較多時(shí)，探頭的K值將變小。

串列法探傷適用于檢測(cè)垂直于探測(cè)面的平面缺陷。

縱波直探頭法主要用于檢測(cè)與檢測(cè)面平行的缺陷。