目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？