在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)（）等步驟。