晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。