版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。