摻雜后，退火的目的是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。