目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

光刻工藝的特點包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）