什么是MOS器件的體效應(yīng)？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。