厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）