填空題單晶硅太陽能電池采用（）表面來增加表面積，用沉積Si3N4作（）膜來降低入射光的反射，用在擴(kuò)散層表面氧化生長(zhǎng)（）nm的鈍化層，改變表面層硅原子價(jià)鍵失配，減少表面復(fù)合，提高短路電流。用PECVD法沉積Si3N4時(shí)，反應(yīng)中大量的原子H可以降低鈍化層與表層硅界面的（）
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