美女裸体18禁免费网站,91精品国产综合久久精品导航,福利姬一区二区三区在线观看

網(wǎng)站首頁考試題庫熱門試題智能家居網(wǎng)課試題

大學(xué)試題

題庫首頁每日一練章節(jié)練習(xí)

填空題Al柵CMOS的極限特征尺寸是（），在6微米以下，一般采用（）工藝

1.填空題為了降低臺階高度對金屬互連線的影響，在沉積金屬層前必須對圓片平坦化。平坦化的方法主要有（）和（）。沉積的回流介質(zhì)主要有：（）

2.填空題要實現(xiàn)金屬互連線與Si的良好歐姆接觸，還必須做（）處理。為了避免鋁釘扎和電遷移現(xiàn)象，常用（）、（）合金和（）替代純鋁。鋁合金化工藝的條件是：（）

3.填空題肖特基接觸呈現(xiàn)（），肖特基結(jié)的高低由（）差決定；歐姆接觸呈現(xiàn)（）特性，接觸電阻可以低到10^-7歐姆·厘米。IC的互連線金屬要求與半導(dǎo)體襯底實現(xiàn)（），所以，源、漏、多晶硅等的摻雜濃度必須高于（）。

4.填空題金屬-半導(dǎo)體接觸分：（）三種。當(dāng)半導(dǎo)體襯底濃度低于（）時，只能產(chǎn)生（），當(dāng)半導(dǎo)體襯底濃度高于（）時可實現(xiàn)（）。

5.填空題半導(dǎo)體器件隔離的種類有：（）；（）和（）三種。P-N結(jié)隔離適合（）的器件。目前大多數(shù)CMOS器件采用（）隔離，絕緣介質(zhì)場區(qū)氧化層采用（）工藝生長。

^{<pre id="lewjg"></pre>}