進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。