光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。