單項選擇題半導體硅工業(yè)產品不包括（）①多晶硅②單晶硅③外延片④非晶硅
A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④
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1.單項選擇題在工業(yè)生產中廣泛用的是（）
A.化學清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗
2.單項選擇題對于鑄造多晶硅氧濃度越（），鈍化效果越（），少數(shù)載流子壽命增加越（）
A.低，好，多
B.低，好，少
C.低，差，多
D.高，好，多
3.單項選擇題在我國通常稱為工業(yè)硅或冶金級硅含量在（）以上。
A.90%
B.92%
C.95%
D.97%
4.單項選擇題晶體的生長方式在人工制備中用的比較少的是（）
A.固相生長
B.液相生長
C.氣相生長
5.單項選擇題下列是晶體的是（）
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
最新試題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
PN結的基本特性是（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題