單項(xiàng)選擇題下列是晶體的是（）
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
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1.單項(xiàng)選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）
A、線缺陷
B、面缺陷
C、點(diǎn)缺陷
D、體缺陷
2.單項(xiàng)選擇題硅單質(zhì)是（）
A、半導(dǎo)體
B、導(dǎo)體
C、絕緣體
3.問答題簡述影響碳酸鈣分解速度的因素。
4.問答題簡述如何選擇陶瓷的成方法？
最新試題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題