鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）