單項(xiàng)選擇題壓制法成型有三種加壓方式，其中不包括下面的哪一種（）。
A、單面加壓
B、雙面同時(shí)加壓
C、雙面先后加壓
D、雙面都不加壓
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1.單項(xiàng)選擇題配合料一般制備與加工的工藝為：（）
A、烘干—破碎—配料—成型
B、破碎—烘干—配料—成型
C、配料—破碎—烘干—成型
D、成型—烘干—破碎—配料
2.單項(xiàng)選擇題玻璃結(jié)構(gòu)是指玻璃中質(zhì)點(diǎn)在空間的幾何配制、有序程度以及它們間的結(jié)合狀態(tài)。玻璃結(jié)構(gòu)可分為三種尺度來(lái)討論：其中（）的尺度為亞微結(jié)構(gòu)范圍。
A、0.2—1nm
B、1—3nm
C、3—幾百nm
D、微米以上
3.單項(xiàng)選擇題在水泥熟料中四個(gè)主要氧化物中，下邊哪個(gè)為（）堿性氧化物。
A、CaO
B、Al2O3
C、Fe2O3
D、SiO2
4.單項(xiàng)選擇題硅酸鹽水泥熟料由C2S、C3S、C3A和下邊的那種組成？（）
A、C4S
B、C4AF
C、C3AF
D、C12A7
5.單項(xiàng)選擇題在無(wú)機(jī)非金屬材料生產(chǎn)中，為了后續(xù)工序的順利的進(jìn)行，應(yīng)對(duì)所采用的原、燃料進(jìn)行的必要的預(yù)處理。這其中不包括下面的哪一種？（）
A、破碎
B、干燥
C、篩分
D、煅燒
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在光線(xiàn)作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題