單項(xiàng)選擇題陶瓷的致命弱點(diǎn)在于()。

A、硬度
B、強(qiáng)度
C、韌性
D、脆性


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1.單項(xiàng)選擇題陶瓷按組成可分為()、氧化物陶瓷、非氧化物陶瓷。

A、日用瓷
B、建筑瓷
C、硅酸鹽陶瓷
D、結(jié)構(gòu)陶瓷

3.單項(xiàng)選擇題在拌水后既能在空氣中硬化,又能在水中硬化的材料稱為()

A、水硬性膠凝材料
B、非水硬性膠凝材料
C、氣硬性膠凝材料
D、水泥

4.單項(xiàng)選擇題在無機(jī)非金屬材料的生產(chǎn)過程中,()是整個生產(chǎn)過程的核心。

A、原料的破碎
B、粉體制備
C、烘干
D、高溫?zé)崽幚?/p>

5.單項(xiàng)選擇題材料種類繁多,分類方法也不盡相同,根據(jù)性能特征,材料可分為結(jié)構(gòu)材料和()

A、金屬材料
B、功能材料
C、有機(jī)高分子材料
D、復(fù)合材料

最新試題

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()

題型:單項(xiàng)選擇題

下列是晶體的是()。 

題型:單項(xiàng)選擇題

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();

題型:單項(xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()

題型:單項(xiàng)選擇題

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()

題型:單項(xiàng)選擇題

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()

題型:單項(xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型:單項(xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()

題型:單項(xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:單項(xiàng)選擇題

可用作硅片的研磨材料是()

題型:單項(xiàng)選擇題