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填空題（）和（）是半導(dǎo)體器件的最常用摻雜方法。（）、（）是Si常用的施主雜質(zhì)；（）是Si常用的受主雜質(zhì)；（）是GaAs常用的P型摻雜劑；（）是GaAs常用的N型摻雜劑。

1.問(wèn)答題畫(huà)出P型（100）、（111）和N型（100）、（111）單晶拋光硅片的外形判別示意圖。

2.填空題半導(dǎo)體集成電路主要的襯底材料有單元晶體材料（）、（）和化合物晶體材料（）、（）；硅COMS集成電路襯底單晶的晶向常選（）；TTL集成電路襯底材料的晶向常選（）；常用的硅集成電路介電薄膜是（）、（）；常用的IC互連線金屬材料是（）、（）。

3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述1990年代CMOS工藝技術(shù)特征：特征尺寸、晶圓尺寸、襯底、隔離、源漏、柵極材料、光刻光源、曝光方式（光刻機(jī)）、刻蝕、互連材料及方式等。

4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述CMOS雙阱工藝，畫(huà)出標(biāo)準(zhǔn)埋層雙極工藝流程示意圖。

5.問(wèn)答題分析比較CMOS工藝中LOCOS和STI兩種隔離技術(shù)的各自特點(diǎn)。