問答題

【簡答題】畫出P型（100）、（111）和N型（100）、（111）單晶拋光硅片的外形判別示意圖。

答案：

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半導(dǎo)體集成電路主要的襯底材料有單元晶體材料（）、（）和化合物晶體材料（）、（）；硅COMS集成電路襯底單晶的晶向常選（）；TTL集成電路襯底材料的晶向常選（）；常用的硅集成電路介電薄膜是（）、（）；常用的IC互連線金屬材料是（）、（）。

答案： Si；Ge；GaAs；InP；（100）；（111）；SiO₂；Si₃N₄；Al；Cu

【簡答題】簡述1990年代CMOS工藝技術(shù)特征：特征尺寸、晶圓尺寸、襯底、隔離、源漏、柵極材料、光刻光源、曝光方式（光刻機(jī)）、刻蝕、互連材料及方式等。

答案：