對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

可用作硅片的研磨材料是（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

下列是晶體的是（）。 

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法