原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

PN結(jié)的基本特性是（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）