A、《砌體結構設計規(guī)范》
B、《砌體結構工程施工質量驗收規(guī)范》
C、《建筑工程施工質量驗收統(tǒng)一標準》
D、《砌體基本力學性能試驗方法標準》
E、《砌體工程現(xiàn)場檢測技術標準》
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、單塊
B、雙塊
C、半塊
D、整體
A、混凝土和砂漿配合比通知單
B、混凝土和砂漿試件抗壓強度試驗報告單
C、各檢驗批的主控項目、一般項目的驗收記錄
D、施工記錄
E、施工圖紙
A、360mm
B、370mm
C、480mm
D、490mm
A、每級荷載可取預估破壞荷載的10%
B、應在1min~1.5mim內(nèi)均勻加完,然后恒載2min
C、加荷至預估破壞荷載的90%后,應按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
D、加荷至預估破壞荷載的80%后,應按原定加荷速度連續(xù)加荷,直至槽間砌體破壞
A、一個
B、二個
C、若干個
D、三個
E、以上都不對
最新試題
PN結的基本特性是()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
下列是晶體的是()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()