多項選擇題砌體工程現(xiàn)場檢測技術(shù)中測區(qū)指在一個檢測單元內(nèi)，隨機布置的（）檢測區(qū)域。
A、一個
B、二個
C、若干個
D、三個
E、以上都不對
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1.多項選擇題砌體工程施工中，石材及砂漿強度等級必須符合設(shè)計要求。檢驗方法包括（）。
A、料石檢查產(chǎn)品質(zhì)量證明書
B、石材試驗報告
C、砂漿試塊試驗報告
D、產(chǎn)品使用說明書
2.單項選擇題燒結(jié)空心磚每（）塊為一驗收批，小砌塊每1萬塊為一驗收批，不足上述數(shù)量時按一批計，抽檢數(shù)量為一組。
A.10萬
B.8萬
C.6萬
D.3萬
3.單項選擇題填充墻砌體砌筑，應(yīng)待承重主體結(jié)構(gòu)檢驗批驗收合格后進行。填充墻與承重主體結(jié)構(gòu)間的空隙部位施工，應(yīng)在填充墻砌筑（）后進行。
A.7d
B.14d
C.28d
D.36d
4.單項選擇題配筋砌體工程中網(wǎng)狀配筋砌體的受力鋼筋保護層厚度允許偏差為（）。
A.±20mm
B.±15mm
C.±10mm
D.±5mm
5.單項選擇題配筋砌體中受力鋼筋的連接方式及錨固長度、搭接長度應(yīng)符合設(shè)計要求。每檢驗批抽查不應(yīng)少于（）處。
A.3處
B.5處
C.6處
D.10處
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題