單項(xiàng)選擇題配筋砌體工程中構(gòu)造柱與墻體的連接,墻體應(yīng)砌成馬牙槎,馬牙槎凹凸尺寸不宜小于60mm,高度不應(yīng)超過(guò)()。

A.200mm
B.250mm
C.300mm
D.350mm


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對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。

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如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。

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CZ法的主要流程工藝順序正確的是()

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下列是晶體的是()。 

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那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()

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把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。

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一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。

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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門(mén)子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

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改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()

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載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題