單項選擇題構(gòu)造柱、芯柱、組合砌體構(gòu)件、配筋砌體剪力墻構(gòu)件的混凝土及砂漿的強度等級應(yīng)符合設(shè)計要求，每個檢驗批砌體，試塊不應(yīng)少于1組，驗收批砌體試塊不得少于（）。
A.1組
B.2組
C.3組
D.4組
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1.單項選擇題毛石墻和磚墻相接的轉(zhuǎn)角處和交接處應(yīng)同時砌筑。轉(zhuǎn)角處、交接處應(yīng)自縱墻每個4-6皮磚高度引出不小于（）與橫墻相接。
A.120mm
B.120mm
C.140mm
D.160mm
2.單項選擇題混凝土小型空心砌塊砌體工程中，每一生產(chǎn)廠家，每（）小切塊為一驗收批，不足數(shù)量時按一批計，抽檢數(shù)量為1組。
A.1萬塊
B.1.5萬塊
C.2萬塊
D.2.5萬塊
3.單項選擇題扁頂法除了可直接測量砌體強度外，當在被試砌體部位布置應(yīng)變測點進行應(yīng)變量測時，不可測量（）。
A.開槽釋放應(yīng)力
B.砌體的應(yīng)力一應(yīng)變曲線
C.彈性模量
D.回彈模量
4.單項選擇題小砌塊墻體應(yīng)孔對孔、肋對肋錯縫搭砌，多排孔小砌塊的搭接長度不宜小于小砌塊長度的1/3，且不應(yīng)小于（）。
A.70mm
B.80mm
C.90mm
D.100mm
5.單項選擇題磚砌體基礎(chǔ)、墻、柱頂面標高允許偏差為（）。
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題