A.120mm
B.120mm
C.140mm
D.160mm
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A.1萬(wàn)塊
B.1.5萬(wàn)塊
C.2萬(wàn)塊
D.2.5萬(wàn)塊
A.開(kāi)槽釋放應(yīng)力
B.砌體的應(yīng)力一應(yīng)變曲線
C.彈性模量
D.回彈模量
A.70mm
B.80mm
C.90mm
D.100mm
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
A.同一墻體的各測(cè)點(diǎn)之間,水平方向凈距不應(yīng)小于0.62m,垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m
B.每個(gè)測(cè)區(qū)隨機(jī)布置的,n個(gè)測(cè)點(diǎn),在墻體兩面的數(shù)量宜接近或相等。以一塊完整的順磚及其上下兩條水平灰縫作為一個(gè)測(cè)點(diǎn)(試件)
C.試件兩個(gè)受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為6~10mm
D.下列部位不應(yīng)布設(shè)測(cè)點(diǎn):門(mén)、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi),后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體;獨(dú)立磚柱和窗間墻
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
可用作硅片的研磨材料是()
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
PN結(jié)的基本特性是()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。