A.1.8±0.05mm
B.2.0±0.05mm
C.2.2±0.05mm
D.2.4±0.05mm
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A.5kN
B.10kN
C.15kN
D.20kN
A.3000g
B.2500g
C.2000g
D.1500g
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
A.2kN/min
B.4kN/min
C.5kN/min
D.8kN/min
A.試件搬運(yùn)過程中,應(yīng)防止碰撞,并應(yīng)采取減小振動(dòng)的措施
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿,并應(yīng)伸進(jìn)撬棍,應(yīng)將水平灰縫撬松動(dòng),然后應(yīng)小心抬出試件
D.需要長距離運(yùn)輸試件時(shí),宜用草繩等材料緊密捆綁試件
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
下列是晶體的是()。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
PN結(jié)的基本特性是()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。