單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時，普通磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔（）水平灰縫，宜取250mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
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1.單項選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標中額定壓力應(yīng)為（）。
A.350kN
B.380kN
C.400kN
D.480kN
2.單項選擇題原位軸壓法正式測試前，應(yīng)取預估破壞荷載的（）進行加荷載測試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
3.單項選擇題原位軸壓法在槽內(nèi)應(yīng)均勻鋪設(shè)濕細砂作為墊層，墊層厚度可?。ǎ?。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
4.單項選擇題原位軸壓法開鑿水平槽孔時普通磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為（）皮磚。
A.4
B.5
C.6
D.7
5.單項選擇題原位軸壓法所用的600型原位壓力機額定行程是（）。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
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雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
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鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
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對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題