下列是晶體的是（）。 

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

PN結的基本特性是（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

可用作硅片的研磨材料是（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）