下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

下列是晶體的是（）。 

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

硅片拋光在原理上不可分為（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）