用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

PN結(jié)的基本特性是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）