原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

PN結(jié)的基本特性是（）

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

下列是晶體的是（）。