填空題將45鋼加熱至Ac1溫度時,所得奧氏體的含碳量為(),繼續(xù)升高溫度,奧氏體的含碳量會增大。
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一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結構。
題型:單項選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題