影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

可用作硅片的研磨材料是（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）