半導體工藝技術中，器件互連材料通常包括（）等。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

集成電容主要有幾種結構？

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

什么是MOS器件的體效應？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。