名詞解釋

橫向擴(kuò)散

答案：由于光刻膠無法承受高溫過程，擴(kuò)散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。當(dāng)原子擴(kuò)散進(jìn)入硅片，它們向各個(gè)方向運(yùn)動(dòng)：向硅的內(nèi)部，橫向和重...
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    恒定表面源擴(kuò)散

    答案：

    在整個(gè)擴(kuò)散過程中，雜質(zhì)不斷進(jìn)入硅中，而表面雜質(zhì)濃度始終保持不變。

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    有限表面源擴(kuò)散

    答案：

    擴(kuò)散開始時(shí)，表面放入一定量的雜質(zhì)源，而在以后的擴(kuò)散過程中不再有雜質(zhì)加入，此種擴(kuò)散稱為有限源擴(kuò)散。

  • 名詞解釋

    間隙式擴(kuò)散

    答案：間隙式擴(kuò)散指間隙式雜質(zhì)從一個(gè)間隙位置運(yùn)動(dòng)到相鄰的間隙位置。

  • 名詞解釋

    替位式擴(kuò)散

    答案：

    占據(jù)晶格位置的外來原子稱為替位雜質(zhì)。只有當(dāng)替位雜質(zhì)的近鄰晶格上出現(xiàn)空位，替位雜質(zhì)才能比較輕易地運(yùn)動(dòng)到近鄰空位上。

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    蒸發(fā)鍍膜

    答案：

    加熱蒸發(fā)源，使原子或分子從蒸發(fā)源表面逸出，形成蒸汽流并入射到硅片（襯底）表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜。

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    濺射鍍膜

    答案：濺射鍍膜是利用電場對輝光放電過程中產(chǎn)生出來的帶電離子進(jìn)行加速，使其獲得一定的動(dòng)能后，轟擊靶電極，將靶電極的原子濺射出來，...

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    物理氣相沉積

    答案：“物理氣相沉積”通常指滿意下面三個(gè)步驟的一類薄膜生長技術(shù)：A.所生長的材料以物理的方式由固體轉(zhuǎn)化...

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    化學(xué)氣相沉積

    答案：化學(xué)氣體或蒸氣和晶圓表面的固體產(chǎn)生反應(yīng)，在表面上以薄膜形式產(chǎn)生固態(tài)的副產(chǎn)品，其它的副產(chǎn)品是揮發(fā)性的會(huì)從表面離開。

  • 問答題

    【簡答題】硅錠直徑從20世紀(jì)50年代初期的不到25mm增加到現(xiàn)在的300mm甚至更大，其原因是什么？

    答案：（1）更大直徑硅片有更大的表面積做芯片，能夠減少硅片的浪費(fèi)。
    （2）每個(gè)硅片上有更多的芯片，每塊芯片的加工和處...

  • 問答題

    【簡答題】晶圓的英文是什么？簡述晶圓制備的九個(gè)工藝步驟。

    答案：Wafer。
    （1）單晶硅生長：晶體生長是把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅。生長后的單晶硅被稱為硅錠...