材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？