圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？