材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？