BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅(qū)動能力。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

版圖設計的基本前提是什么？

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。